| 存储介质:MLC-NAND Flash; 写寿命:每天写100GB资料可以用8年,读寿命:无限; 支持S.M.A.R.T功能; 在25度下可以存放10年; 动态与静态的平衡抹除算法; 平均故障间隔时间:100万小时; 错误检查与纠错:每512Byte有8位或15位纠错码; 坏块管理:系统自动坏块管理 |
存储介质:MLC-NAND Flash; 写寿命:每天写100GB资料可以用8年,读寿命:无限; 支持S.M.A.R.T功能; 在25度下可以存放10年; 动态与静态的平衡抹除算法; 平均故障间隔时间:100万小时; 错误检查与纠错:每512Byte有8位或15位纠错码; 坏块管理:系统自动坏块管理 |
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